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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
総合得点
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
31
周辺 -24% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
23.1
11.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
19.4
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
31
25
読み出し速度、GB/s
11.7
23.1
書き込み速度、GB/秒
7.2
19.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1990
4380
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
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Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
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Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
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