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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
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考慮すべき理由
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
31
周辺 -11% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.3
11.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.3
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
31
28
読み出し速度、GB/s
11.7
17.3
書き込み速度、GB/秒
7.2
13.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1990
3259
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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