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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
総合得点
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
98
周辺 68% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.2
7.0
テスト平均値
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.8
11.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
31
98
読み出し速度、GB/s
11.7
14.8
書き込み速度、GB/秒
7.2
7.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1990
1447
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
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Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
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