Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB

総合得点

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

総合得点

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

考慮すべき理由
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 19.6

テスト平均値

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

28 68

周辺 -143% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

16.6 1,944.9

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 5300

周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

68 28
読み出し速度、GB/s

3,973.0 19.6
書き込み速度、GB/秒

1,944.9 16.6
メモリ帯域幅、mbps

5300 17000

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

673 3804

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB

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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

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Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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