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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

総合得点
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

総合得点
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Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB 考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    5 left arrow 18.4
    テスト平均値
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB 考慮すべき理由
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 46
    周辺 -53% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.2 left arrow 1,852.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    5,535.6 left arrow 18.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,852.4 left arrow 15.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    858 left arrow 3625

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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
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メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Kingston 9905711-002.A00G 4GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
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メモリRAM
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
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メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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