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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
総合得点
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
総合得点
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
5
14.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
46
周辺 -59% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.9
1,852.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
29
読み出し速度、GB/s
5,535.6
14.2
書き込み速度、GB/秒
1,852.4
12.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
858
2873
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
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