RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB

総合得点
star star star star star
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB 考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    5 left arrow 18.2
    テスト平均値
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 46
    周辺 -53% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 1,852.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    5,535.6 left arrow 18.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,852.4 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    858 left arrow 2947

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAMの比較

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB RAMの比較

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2K70CM0-YF8 16GB
Samsung M393B2K70CM0-YF8 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
メモリRAM