RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB

総合得点
star star star star star
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB 考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    5 left arrow 16.3
    テスト平均値
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 46
    周辺 -59% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 1,852.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    5,535.6 left arrow 16.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,852.4 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    858 left arrow 3220

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAMの比較

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
OCZ OCZ2T8001G 1GB
OCZ OCZ2T8001G 1GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
メモリRAM