RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
比較する
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
総合得点
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
5
18.5
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
46
周辺 -59% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
15.6
1,852.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
29
読み出し速度、GB/s
5,535.6
18.5
書き込み速度、GB/秒
1,852.4
15.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
858
3722
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAMの比較
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link