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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Maxsun MSD48G30M3 8GB
総合得点
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
総合得点
Maxsun MSD48G30M3 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
5
14.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Maxsun MSD48G30M3 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
46
周辺 -39% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.6
1,852.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
33
読み出し速度、GB/s
5,535.6
14.4
書き込み速度、GB/秒
1,852.4
11.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
858
3105
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAMの比較
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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