RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
比較する
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
総合得点
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
総合得点
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
17.6
テスト平均値
考慮すべき理由
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
50
周辺 -52% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
15.6
1,457.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
50
33
読み出し速度、GB/s
3,757.3
17.6
書き込み速度、GB/秒
1,457.4
15.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
557
3510
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAMの比較
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link