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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
総合得点
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
19
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
50
周辺 -100% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
15.8
1,457.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
50
25
読み出し速度、GB/s
3,757.3
19.0
書き込み速度、GB/秒
1,457.4
15.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
557
3668
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAMの比較
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
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