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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
比較する
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
総合得点
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
総合得点
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
21
24
周辺 13% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.9
11.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13% 高帯域
考慮すべき理由
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.4
15
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR5
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
21
24
読み出し速度、GB/s
15.0
15.4
書き込み速度、GB/秒
13.9
11.5
メモリ帯域幅、mbps
19200
17000
Other
商品説明
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3774
2534
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
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