RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

総合得点
star star star star star
Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Team Group Inc. UD5-6400 16GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 38
    周辺 45% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15 left arrow 14.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 10.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
    周辺 1.13% 高帯域
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR5 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    21 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    15.0 left arrow 14.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    13.9 left arrow 10.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    no data / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3774 left arrow 2298

Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAMの比較

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
メモリRAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
メモリRAM