RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

総合得点
star star star star star
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 65
    周辺 40% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.7 left arrow 5.8
    テスト平均値
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 65
  • 読み出し速度、GB/s
    14.3 left arrow 8.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.7 left arrow 5.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2376 left arrow 1981

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB RAMの比較

PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB RAMの比較

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
メモリRAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
メモリRAM