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Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
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Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
総合得点
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
総合得点
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
35
周辺 -40% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.3
15.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.6
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
25
読み出し速度、GB/s
15.6
17.3
書き込み速度、GB/秒
9.6
14.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2625
3404
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB RAMの比較
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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