Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB

総合得点

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

総合得点

G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

考慮すべき理由
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

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G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

21 29

周辺 -38% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

19 12.1

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

14.4 8.0

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 12800

周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

29 21
読み出し速度、GB/s

12.1 19.0
書き込み速度、GB/秒

8.0 14.4
メモリ帯域幅、mbps

12800 17000

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1989 3216

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

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G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB

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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

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