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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
16.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
53
周辺 -83% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
14.4
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
29
読み出し速度、GB/s
3,726.4
16.7
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
14.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
3324
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
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Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
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