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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
18
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
53
周辺 -77% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.8
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
30
読み出し速度、GB/s
3,726.4
18.0
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
13.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
3334
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
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