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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
17.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
53
周辺 -130% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
14.2
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
23
読み出し速度、GB/s
3,726.4
17.2
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
14.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
3299
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
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