TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB

総合得点

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

総合得点

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB

相違点仕様コメント

相違点

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 17.3

テスト平均値

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

29 53

周辺 -83% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

13.3 1,590.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 6400

周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

53 29
読み出し速度、GB/s

3,726.4 17.3
書き込み速度、GB/秒

1,590.1 13.3
メモリ帯域幅、mbps

6400 19200

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

522 3294

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

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Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

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V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

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Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB

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