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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
17.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
53
周辺 -77% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
14.4
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
30
読み出し速度、GB/s
3,726.4
17.4
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
14.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
3327
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
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