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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
16.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
53
周辺 -89% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
28
読み出し速度、GB/s
3,726.4
16.5
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
13.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
2741
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
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