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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
比較する
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
17.9
テスト平均値
考慮すべき理由
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
53
周辺 -77% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.3
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
30
読み出し速度、GB/s
3,726.4
17.9
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
13.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
3226
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
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EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB RAMの比較
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
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