RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB

総合得点
star star star star star
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB 考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 18.7
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 53
    周辺 -96% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 1,590.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    53 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    3,726.4 left arrow 18.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,590.1 left arrow 15.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    522 left arrow 3772

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較

Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB RAMの比較

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre 0000 8GB
Kllisre 0000 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
メモリRAM