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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
15.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
53
周辺 -121% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.1
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
24
読み出し速度、GB/s
3,726.4
15.8
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
12.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
2761
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
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