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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
18
テスト平均値
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
53
周辺 -71% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
15.2
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
31
読み出し速度、GB/s
3,726.4
18.0
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
15.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
3040
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
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