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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
13.1
テスト平均値
考慮すべき理由
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
53
周辺 -56% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.9
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
34
読み出し速度、GB/s
3,726.4
13.1
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
12.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
2608
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
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Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
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