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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
15.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
53
周辺 -66% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
32
読み出し速度、GB/s
3,726.4
15.9
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
12.0
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
2952
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
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Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
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Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
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