RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

総合得点
star star star star star
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB 考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 14.4
    テスト平均値
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 53
    周辺 -43% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.4 left arrow 1,590.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    53 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    3,726.4 left arrow 14.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,590.1 left arrow 10.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    522 left arrow 2179

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較

Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
メモリRAM