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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
14.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
43
53
周辺 -23% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.8
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
43
読み出し速度、GB/s
3,726.4
14.3
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
7.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
2128
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB RAMの比較
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
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