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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

総合得点
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

総合得点
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB 考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 13.8
    テスト平均値
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 53
    周辺 -39% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 1,590.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    53 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    3,726.4 left arrow 13.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,590.1 left arrow 10.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    522 left arrow 2363

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Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
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メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Kingston 9905598-025.A00G 8GB
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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