RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

総合得点
star star star star star
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

総合得点
star star star star star
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB 考慮すべき理由
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 16
    テスト平均値
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 96
    周辺 -231% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 1,336.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    96 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    2,725.2 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,336.0 left arrow 12.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    438 left arrow 3291

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
メモリRAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
メモリRAM
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
メモリRAM