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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB

総合得点
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

総合得点
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G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB 考慮すべき理由
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 80
    周辺 68% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 7.4
    テスト平均値
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 80
  • 読み出し速度、GB/s
    14.1 left arrow 14.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 7.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2354 left arrow 1564

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
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メモリRAM
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston 9965596-002.B00G 4GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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