Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Kingston 9965589-008.D01G 8GB

総合得点

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

総合得点

Kingston 9965589-008.D01G 8GB

Kingston 9965589-008.D01G 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

考慮すべき理由
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

26 36

周辺 28% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

14.1 10

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

9.5 7.5

テスト平均値

Kingston 9965589-008.D01G 8GB

考慮すべき理由
Kingston 9965589-008.D01G 8GB

バグを報告する

より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 12800

周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Kingston 9965589-008.D01G 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

26 36
読み出し速度、GB/s

14.1 10.0
書き込み速度、GB/秒

9.5 7.5
メモリ帯域幅、mbps

12800 17000

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2354 2037

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

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Maxsun MSD416G26Q3 16GB

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Kingston KVR24N17S8/4 4GB

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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

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G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

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Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB

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G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB

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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

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Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

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