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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB

総合得点
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

総合得点
star star star star star
NSITEXE Inc Visenta 16GB

NSITEXE Inc Visenta 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB 考慮すべき理由
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 58
    周辺 55% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 8.2
    テスト平均値
NSITEXE Inc Visenta 16GB 考慮すべき理由
NSITEXE Inc Visenta 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18 left arrow 14.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 58
  • 読み出し速度、GB/s
    14.1 left arrow 18.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2354 left arrow 2025

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
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SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
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メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
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