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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

総合得点
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

総合得点
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB 考慮すべき理由
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 35
    周辺 26% 低遅延
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 14.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    14.1 left arrow 15.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2354 left arrow 2927

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メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
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メモリRAM
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Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
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メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
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メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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