RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

総合得点
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 44
    周辺 -76% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    18.3 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 18.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1853 left arrow 3731

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAMの比較

Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/4G 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
メモリRAM