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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
総合得点
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
43
44
周辺 -2% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
11.4
10.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.5
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
43
読み出し速度、GB/s
10.9
11.4
書き込み速度、GB/秒
7.5
9.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1853
2532
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CAS Latency (CL) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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