RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

総合得点
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
バグを報告する
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 44
    周辺 -16% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.5 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.9 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 10.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1853 left arrow 2829

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAMの比較

Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
メモリRAM
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
メモリRAM