RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
比較する
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
32
周辺 22% 低遅延
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.4
12.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
32
読み出し速度、GB/s
12.6
17.4
書き込み速度、GB/秒
7.2
12.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2051
3137
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAMの比較
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link