RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

総合得点
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 25
    周辺 -4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 12.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 7.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    12.6 left arrow 14.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2051 left arrow 2913

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAMの比較

Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB RAMの比較

G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
メモリRAM
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
メモリRAM
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
メモリRAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
メモリRAM