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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
比較する
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
総合得点
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
32
周辺 22% 低遅延
考慮すべき理由
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.3
12.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.6
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
32
読み出し速度、GB/s
12.6
17.3
書き込み速度、GB/秒
7.2
12.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2051
3023
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
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