RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

総合得点
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 34
    周辺 26% 低遅延
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB 考慮すべき理由
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 12.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.7 left arrow 7.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    12.6 left arrow 14.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 11.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2051 left arrow 3075

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAMの比較

Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB

Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB RAMの比較

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
メモリRAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
メモリRAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
メモリRAM
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
メモリRAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
メモリRAM