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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
総合得点
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
25
周辺 -14% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18
12.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.8
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
22
読み出し速度、GB/s
12.6
18.0
書き込み速度、GB/秒
7.2
12.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2051
3110
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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