RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
60
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
60
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1677
2359
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link