RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
40
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1654
2513
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link