RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
40
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1654
3052
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link