RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
40
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1654
3080
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
UMAX Technology 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link