RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Porównaj
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
40
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1654
3199
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link